silicon gate — silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate vok. Silizium Gate, n rus. кремниевый затвор, m pranc. grille de silicium, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… … Deutsch Wikipedia
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
kombiniertes Gate aus ein- und polykristallinem Silizium — monokristalinio ir polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. single crystal and polysilicon gate; single poly gate vok. kombiniertes Gate aus ein und polykristallinem Silizium, n rus. затвор из… … Radioelektronikos terminų žodynas
High-k+Metal-Gate-Technik — Schematischer Querschnitt durch den Gate Aufbau eines Transistors in High k+Metal Gate Technik Die High k+Metal Gate Technik (HKMG Technik) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen speziellen Aufbau von Metall Isolator Halbleiter… … Deutsch Wikipedia
Field Programmable Gate Array — Ein Field Programmable Gate Array (kurz: FPGA) ist ein Integrierter Schaltkreis (IC) der Digitaltechnik, in den eine logische Schaltung programmiert werden kann. Die englische Bezeichnung kann übersetzt werden als: im (Anwendungs )Feld… … Deutsch Wikipedia
single-crystal and polysilicon gate — monokristalinio ir polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. single crystal and polysilicon gate; single poly gate vok. kombiniertes Gate aus ein und polykristallinem Silizium, n rus. затвор из… … Radioelektronikos terminų žodynas
single-poly gate — monokristalinio ir polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. single crystal and polysilicon gate; single poly gate vok. kombiniertes Gate aus ein und polykristallinem Silizium, n rus. затвор из… … Radioelektronikos terminų žodynas
KME U80701 — Der U80701 U80701FC … Deutsch Wikipedia
U80701 — Der U80701 U80701FC … Deutsch Wikipedia